区分KEMET钽电容与AVX钽电容的方法
2021-05-18 16:38:10
虽然KEMET与AVX钽电容都是黄色外包装，但可以看到它们的标识打法不同，AVX的打字是横向打法，KEMET的打字是竖向打法。AVX两端的引脚大不相同，一边是“口”字型，一边是“凹”字型，而KEMET钽电容它的两端引脚都是“口”字型。
随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗（Z）
这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗；半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 钽电容的等效串联电阻ESR：
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR. ESR 的频率依赖性和可利用的关系；ESR=谭δ2πfC 其中F 是赫兹的频率，C是电容法拉。ESR 是在25°C和100kHz的测量。ESR是阻抗的因素之一，在高频率就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。
说到AVX钽电容，就再说说AVX钽电容的温度特点。
钽电容的电容随温度变化而发生变化，这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。这是一个在电容器的能量损耗的测量，它表示为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。COS（90 - ）是真正的功率因数。“使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号。
耗散因数的频率依赖性：随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗（Z）
这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗；半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 钽电容的等效串联电阻ESR：
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR. ESR 的频率依赖性和可利用的关系；ESR=谭δ2πfC 其中F 是赫兹的频率，C是电容法拉。ESR 是在25°C和100kHz的测量。ESR是阻抗的因素之一，在高频率就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。
